Поле деформаций для точечного дефекта. Поле напряжений для точечного дефекта.

Поле деформаций для точечного дефекта Введение межузельного атома в кристаллическую решетку в общем случае сопровождается увеличением ее объема.

, обусловленных межузельными атомами, описывается тензорной величиной. Для примеси внедрения, характеризующейся тензором

могут существовать эквивалентные ориентации v в кристаллической решетке; в этом случае

где r_v – доля примесей внедрения, имеющих ориентацию v.

Поле напряжений для точечного дефекта

Канзаки ввел следующую полезную для теоретического описания поля смещений концепцию. Действительные смещения атомов решетки, обусловленные дефектом, можно имитировать, рассматривая решетку без дефектов и вводя виртуальные силы

("силы Канзаки"). Эти силы действуют на каждый атом т (находящийся на расстоянии x_i^m от дефектного узла), так что результирующие смещения оказываются такими же, как и при введении дефектного атома. Распределение сил можно описать с помощью мультипольного разложения по аналогии с распределением зарядов в случае электрического поля. Оказывается, что в большинстве случаев можно ограничиться только «дипольной частью» силового распределения

так называемым дипольно-упругим тензором. Для получения удовлетворительного описания смещений достаточно знать силы, действующие только на несколько соседних атомов (например, на ближайших соседей дефекта). 1.