Принципы ионного тунелирования при исследовании систем Ме – Н.

Первоначально каналирование заряженных частиц наблюдалось для пучков положительно заряженных легких ионов (протоны, дейтроны, a-частицы) при энергии порядка 1 МэВ. В этом случае из-за малости длины волны де Бройля движущегося иона характер его движения можно описать классически в виде последовательности столкновений с упорядоченно расположенными атомами кристалла.

Когда луч ионов, ускоренных до энергий порядка MэВ, введен в кристалл, ионы неоднократно рассеваются атомами решетки в приповерхностной области и в конечном счете или остановлены в решетке или обратно отражаются от нее. Количество отраженных ионов заметно сокращается, и средняя глубина проникновения увеличивается, когда ионный пучок вводит решетку при углах скольжения (< 1°) с низкими индексными кристаллографической оси или плоскости. 1.