77. Строение полупроводников. Зависимостьпроводимости полупроводников от температуры и освещенности.

Обычно к полупроводникам относят кристаллы, в которых для освобождения электронов требуется энергия не более 1,5 – 2 эВ. Типичные полупроводники – кремний, германий. При наложении электрического поля в электроны в зоне проводимости переходят на более высокие уровни, а электроны из валентной зоны переходят на освободившиеся места.

В валентной зоне оказываются пустые места, которые называют дырками. Число дырок = числу электронов. Освобожденные электроны создают электронный ток проводимости. Дырки создают дырочный ток проводимости. При комнатной температуре концентрация электронов в полкпроводнике много меньше, чем в проводнике => их удельное сопротивление больше. При понижении температуры удельное сопротивление увеличивается, а при повышении – уменьшается. В проводниках наоборот. При увеличении освещенности удельное сопротивление полупроводника уменьшается. Это означает, что энергия, необходимая для освобождения электронов, передается им светом, падающим на кристалл.

<< | >>

↑

Источник: Физика. Ответы на вопросы экзамена. 2017

Еще по теме 77. Строение полупроводников. Зависимостьпроводимости полупроводников от температуры и освещенности.:

77. Строение полупроводников. Зависимостьпроводимости полупроводников от температуры и освещенности.

- Астрономия и астрофизика - История физики - Квантовая физика - Механика - Общая физика - Оптика - Термодинамика, молекулярная и статистическая физика - Физика плазмы - Электричество и магнетизм -