79. Электронно-дырочный переход.

Принцип действия полупроводниковых приборов основан на использовании электронно-дырочного перехода p-n-перехода. Для его создания в кристалле с электронной проводимостью нужно создать область с дырочной проводимостью или наоборот.

Такая область создается внесением примеси в процессе выращивания кристалла или в уже готовый кристалл. Через границу, разделяющую области кристалла с различными типами проводимости, происходит диффузия электронов и дырок. p-n-переход – это граница, рахделяющая область с электронной и дырочной проводимостью в одном монокристалле. Пограничная область раздела полупроводников с различными типами проводимости превращается в диэлектрик. Основное св-во p-n-перехода – пропускание тока в одном направлении. Если к полупроводниковому переходу приложено напряжение со знаком + к n-области, то электроны в n-проводнике и p-проводнике удаляются друг от друга, увеличивая запирающий слой. Сопротивление p-n-перехода велико, сила тока мала, от напряжения практически не зависит. Это включение p-n-перехода в обратном или запирающем направлении. Если на p-область +, то переход основных носителей облегчается. Двигаясь навстречу друг другу, основные носители заряда входят в запирающий слой и уменьшают его сопротивление. На основе электронно-дырочного перехода работают полупроводниковые приборы.

<< | >>

↑

Источник: Физика. Ответы на вопросы экзамена. 2017

Еще по теме 79. Электронно-дырочный переход.:

- Астрономия и астрофизика - История физики - Квантовая физика - Механика - Общая физика - Оптика - Термодинамика, молекулярная и статистическая физика - Физика плазмы - Электричество и магнетизм -