1) На границе раздела двух диэлектриков построим прямой цилиндр ничтожно малой частоты, одно основание которого находится в первом диэлектрике, другое - во втором.
По теореме Гаусса: Dn2dS-Dn1dS=0 (электрическое смещение через боковые поверхности равно 0). тогда Dnт1/Dn2 .
Заменив D=ε0εE, то Еn1ε1ε0=En2ε2ε0 => Еn1/En2= ε2/ ε1. т.е. при переходе через границу 2-х диэлектрических сред тангенциальная составляющая вектора Е не претерпевает разрыва, а тангенциальное уравнение вектора D претерпевает скачок. Линии векторов Е и D преломляются : Еτ1=Еτ2, Еn1ε1=En2ε2
Из рисунка tga2/tga1=Eτ2/En2Еτ1/Еn1 Т.к. D= ε0εE, то tga2/tga1=ε2/ ε1. Т.е. входя в диэлектрик с большей диэлектрической проницаемостью, линии Е и D удаляются от нормали. 2) Круговой ток создает магнитный момент Pm=IS, I=ev,S=πr2 => Pm=IS=ev πr2 , Lm – орбитальный механический момент Lm=mvr. Pm/Lm=const=-evπr2/mvr=-e/2m (“-“ появляется из-за того, что Pm и Lm противоположно направлены. Отношение магнитного момента, связанного с орбитальным движением е к механическому моменту – величина постоянная, но зависящая от радиуса орбиты и от скорости его движения – гиромагнитное отношение. Спин е – собственный механический и собственный магнитный момент, не связанный с орбитальным движением суммарный магнитный момент атома определяется орбитальным магнитным моментом, спиновым магнитным моментом и магнитным моментом ядра: Pат=Pm+Ps+Pя, т.к. mя>>mе, Pm IARA=I3R3, I3=3 IA => I1=4 IA, I1'=I2',
I1=I2=4IA, 19 IA+0,5 I2'=1,5, откуда I1'=I2'=3-38 IA, 4 IA=I1'+I2'=6-76IA,
80 IA=6 => IA=74 мА
4)Дано Когда металлическая пластина находящаяся в контуре, его можно
S=500 см2 представить в виде системы 2-х одинаковых конденсаторов.
=0,05 м x=(d-d1)/2. Тогда 1/C=1/C1+1/C2, Ci= ε0εS/d, C1= ε0εS/x,C2= ε0εS/x,
l= 0,01 м 1/C=2/C1=2ε0εS/(d-d1) => W1=CU2/2=ε0SU2/(d-d1)2=5,53*10-8 Дж
U=100 В S'=ε0S/d (без пластины), => W2= ε0SU2/d=8,85*10-8 Дж
А-? A=W2-W1=3,32*10-8 Дж
23